模擬部分（共80分）

一、選擇填空題（每空１分，共１０分）

（１）、當(dāng)溫度升高時，晶體管的Ｕ_ＢＥ　　　　，Ｉ_ＣＥＯ　　　，β　　　。（ａ　不變、ｂ　增大、ｃ　減小）

（２）、當(dāng)晶體管工作在飽和區(qū)時，其發(fā)射結(jié)處于　　　，集電結(jié)處于　　　 （ａ　零偏置、ｂ　正向偏置、ｃ　反向偏置）。

（３）、長尾式差動放大電路中Ｒ_ｅ阻值越大，則　　　（ａ　差模電壓放大倍數(shù)越大、ｂ　差模電壓放大倍數(shù)越小、ｃ　共模電壓放大倍數(shù)越大、　　　�。洹」材ｋ妷悍糯蟊稊�(shù)越�。�，同時，電路的共模抑制比Ｋ_ＣＭＲ　　　（ａ　越小、ｂ　越大、ｃ　不變）。

（４）、集成運放放大器工作在線性區(qū)時，其電路結(jié)構(gòu)形式為　　　　　　　（ａ　開環(huán)、ｂ　負(fù)反饋、ｃ　正反饋）。

（５）、當(dāng)場效應(yīng)管的漏極直流電流Ｉ_Ｄ從2ｍＡ變?yōu)?/span>4ｍＡ時，它的低頻跨導(dǎo)ｇ_ｍ將　　　   （ａ　增大、ｂ　不變、ｃ　減�。�。

（６）、場效應(yīng)管中ｕ_ＧＳ＝０時，能夠工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有　　　　　（ａ　結(jié)型管、ｂ　增強(qiáng)型ＭＯＳ管、ｃ　耗盡型ＭＯＳ管）。

二、　(8分)下圖有源濾波電路中的Ｒ_１＝Ｒ_ｆ＝１０ＫΩ，Ｒ＝１５．９ＫΩ時，特征頻率ｆ_０＝１ＫＨ_Ｚ，試求

（１）、該濾波器的通帶電壓放大倍數(shù)。

（２）、電容Ｃ的容量。

三、　(12分)電路如圖所示

（１）、試將反饋電阻R_F正確地連接在電路中，實現(xiàn)將輸入電流轉(zhuǎn)換成與之成穩(wěn)定線性關(guān)系的輸出電流，并說明引入的是哪種組態(tài)的負(fù)反饋。

（２）、在深度負(fù)反饋條件下，若A_F＝13，求反饋電阻R_F的取值。

四、            (16分)下圖所示電路為一個區(qū)分晶體管β值的篩選電路，要求將同一型號的晶體管（３ＣＧ型）按β值的大小分為兩檔，即β值在５０至１００之間為一檔，其他值為另一檔。試確定Ｕ_ＲＨ和Ｕ_ＲＬ值的大小，并說明電路工作原理，發(fā)光二極管為亮狀態(tài)時說明晶體管的β值在什么范圍？（晶體管為硅管，Ｕ_ＢＥ＝０.７Ｖ）

五、(14分)下圖為一運算電路，在理想情況下，試推導(dǎo)輸出電壓u_Ｏ與輸入電壓u_Ｉ的函數(shù)關(guān)系。

六、(20分)圖中電路是一個差動式電橋測試壓力的電路，它采用電阻應(yīng)變式壓力傳感器組成，當(dāng)外加壓力為零時，Ｒ_１＝Ｒ_２＝Ｒ_３＝Ｒ_４＝Ｒ，則：Ｕ_O＝０，加壓力后，Ｒ_１＝Ｒ_４＝Ｒ＋ΔＲ，而Ｒ_２＝Ｒ_３＝Ｒ－ΔＲ，則有信號（Ｕ_Ｉ≠０）加在差動放大器的兩個輸入端。試計算：

（１）、靜態(tài)時（Ｕ_Ｉ＝０），Ｉ_Ｃ１、Ｉ_Ｃ２、Ｕ_Ｃ１和Ｕ_Ｃ２的值。 設(shè)晶體管的Ｕ_ＢＥ＝０．７Ｖ

（２）、計算Ａ_ｄ、Ｒ_ｉ和Ｒ_ｏ的值，設(shè)β_１＝β_２＝６０，ｒ_ｂｂ′＝２００Ω。

（３）、若壓力信號按正弦規(guī)律變化時，u_Ｉ＝５Ｓｉｎωｔ（ｍｖ），試畫出與之對應(yīng)的輸出信號u_Ｏ的波形。 

數(shù)字部分（共70分）

七、（12分）綜合題

 (1)  在數(shù)字電路中，晶體三極管工作在       狀態(tài)，即或者在     區(qū)，或者在       區(qū)。

（2） （11001101011.1011011）2 =（        ）8 ＝（      ）16

（3）  (762.75)10＝（        ）16

（4） 證明邏輯恒等式:

（5） 化簡邏輯函數(shù)：

        約束條件為：

（6） 已知： ，其對偶式                  ，

                              其反函數(shù)                   。

（7） 圖示電路均為TTL門電路，寫出F₁, F₂的邏輯表達(dá)式。